AI导读:

存储市场正面临AI需求持续高涨与消费终端市场萎靡带来的产品需求分化,企业级产品需求高涨,模组厂商与下游客户价格战激烈,预计趋势将延续至明年。HBM芯片供不应求,国产厂商加速研发。

  眼下,存储市场正遭遇AI需求激增与消费终端市场疲软所导致的产品需求分化现象。多位企业高管及分析人士在近日接受财联社记者采访时,用“冰火两重天”来形象描述当前存储市场的状态。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露,一方面,企业级产品需求高涨,客户频繁询问出货时间;另一方面,模组厂商及其下游客户陷入“价格战”,出货量依然不振。

  展望未来,多位受访者预计这一趋势将持续至明年。TrendForce 集邦咨询分析指出,明年传统DRAM中,先进制程产品价格预计将保持稳定,而成熟制程产品则面临跌价风险;NAND方面,企业级与消费级产品价格仍将分化,整体价格预计年初下跌,年中后有望回暖。值得注意的是,被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求,除三星、海力士等海外供应商积极扩产外,国内厂商亦在加速研发。

  存储市场呈现“冰火两重天”态势

  自2023年Q4起,存储行业进入强势涨价周期。以DRAM为例,TrendForce 集邦咨询数据显示,从去年Q4至今年Q3,DRAM价格连续四个季度飙升,季涨幅均超过10%。然而,此次涨价主要源于原厂不堪亏损,而非需求大幅增长,导致本已不振的消费级存储市场更加低迷。

  时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示,2024年存储产业经历“冰火两重天”,消费电子存储市场表现低迷,智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺;而AI对存储产品性能提出更高要求,推动高端存储产品价格持续上扬。在此背景下,下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。

  三星电子今年Q3总营收达79.1万亿韩元(约573亿美元),同比增长17.3%,环比增长7%;海力士Q3营业收入为17.57万亿韩元,环比增长7%,同比增长94%,创历史新高。然而,慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭指出,下游需求不振导致模组厂商及客户开始价格战,尽管终端价格疲软,出货量依然不畅,降价未能有效刺激需求。

  以小米为例,今年Q3小米集团(01810.HK)智能手机ASP由2023年第三季度的每部997.0元上涨10.6%至今年的每部1102.2元;但智能手机毛利率却由2023年第三季度的16.6%减少至2024年第三季度的11.7%。总裁卢伟冰在财报电话会上表示,这与第三季度是内存价格最高峰及产品发布时间和节奏有关。因此,有消息称终端厂商减少存储备货,国内存储模组厂商如佰维存储(688525.SH)、江波龙(301308.SZ)等面临较大压力,Q3出现净利润亏损。

  近期,存储产品现货价格下跌严重,部分低容量内存条近半年多跌幅已逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示,除需求不振外,还与一些厂商将二手内存条拆成颗粒,以一般消费型内存出货,扰乱市场有关。然而,在企业级存储方面,需求极为旺盛,段喜亭透露,常接到客户询问出货时间的电话。

  根据集邦咨询数据,今年Q4,在经历了Q3至高20%的涨价后,企业级SSD仍预计单季增长0-5%,而NAND整体价格却预计在当季下跌3-8%。段喜亭总结道,AI的风目前还停留在数据中心,尚未吹到终端设备。

  传统产品分化趋势延续,HBM具有确定性增长

  倪黄忠认为,明年这种分化现象仍将严重。AI热度持续,但价格将有所回落;消费类存储将回归相对健康状态。传统DRAM方面,集邦咨询分析师吴雅婷表示,2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱,价格已呈现跌势;DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求展望尚不明确,加上部分买卖双方库存水位偏高,价格不排除于今年第四季底开始下跌。集邦咨询预计传统DRAM在明年每季下跌3-8%。

  NAND方面,今年价格整体上涨约43~48%,集邦咨询预计明年整体合约价将上涨15~20%,主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。不过,明年涨价主要发生在下半年,Q2之前NAND市场整体价格较为平稳。相较于传统DRAM及NAND的尴尬处境,因AI服务器而异军突起的HBM则维持强势。

  吴雅婷表示,目前HBM部分供应商已完成合约价商谈,预计同产品价格上涨10%;HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨;整体来看,HBM需求量增长达到117%。段喜亭直言,目前可见的未来,还看不到HBM的替代品。HBM即高带宽存储,属于DRAM大类,其内部由多层DRAM Die垂直堆叠,通过通孔(TSV)技术实现与逻辑Die连接,实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。

  段喜亭解释称,GPU在做大语言模型运算时,需一次性吸收巨量数据进行运算,提供的数据越多,运算效率越高,因此对存储的资料吞吐量要求很高。单颗DRAM资料存储量低,吞吐量不足,因此需要使用由DRAM堆叠而成的HBM。目前,已量产出货的HBM中尚未见国产厂商身影,但郭祚荣表示,或将在2-3年内国产HBM将有较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布相关招标项目,表示将打造国产高带宽存储器(HBM)产品,并已在湖北证监局披露IPO辅导备案报告。此外,长电科技(600584.SH)、芯碁微装(688630.SH)、通富微电(002156.SZ)等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

(文章来源:财联社)

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