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中国科学院团队通过“万能离子刀”技术，在六吋图形化SiN晶圆上集成高质量铌酸锂薄膜，制备出高速数据传输电光调制器，为硅光平台与薄膜铌酸锂晶圆级异质集成量产奠定基础。

　　近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所蔡艳研究员团队与欧欣研究员团队合作，通过“万能离子刀”剥离转移技术在六吋图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜，并通过晶圆级工艺制备出具备高速数据传输能力的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成方案中，氮化硅与薄膜铌酸锂形成混合波导，铌酸锂薄膜无需刻蚀加工，简化了工艺流程。铌酸锂薄膜作为关键材料，其集成与应用对提升电光调制器性能至关重要。该工作不仅对全流程晶圆级制备硅光异质集成薄膜铌酸锂电光调制器进行了探索，而且为未来硅光平台与薄膜铌酸锂进行晶圆级异质集成的量产奠定了一定基础。

（文章来源：人民财讯）