自2025年步入第二季度以来，DRAM市场“涨声”不断，尤其在AI需求激增的背景下，部分细分领域如DDR4和DDR5供应变得紧俏。据国内某存储厂商高管透露，有的型号一个月近乎涨了50%！日前，又有媒体报道称三星于本月初将DDR4价格上调20%，DDR5上调约5%。

多位产业链受访人士在接受财联社记者采访时表示，此轮市场波动主要源于AI带来的HBM和服务器DRAM的增量需求，促使三星、SK海力士等主流原厂进行战略性产能调整。随着原厂相继发布DDR4 EOL（生命周期结束）通知，考虑到服务器和PC等终端对D4产品仍有一定长尾需求，下游紧急建立DDR4库存，导致近期DDR4产品供应紧俏。

在此情况下，存储原厂及囤货充足的模组厂均有望受益。特别是随着国际厂商的产能战略调整以及供应链环境的变化，国内存储厂商也迎来了结构性机遇。

DRAM涨价潮起：AI“火热”与原厂“控盘”

2025年初，DRAM市场供应趋紧的态势已逐渐显现。深圳某存储模组厂高管刘明表示，DRAM近期涨价迅猛，部分型号的DDR4一个月涨幅接近50%。由于三星、海力士、美光三大原厂将产能向高性能存储倾斜，降低了利基型产品的库存水位，DDR4、LPDDR4等利基型DRAM价格自3月底开始回升。

预计2Q25 PC DRAM及Mobile DRAM合约价将分别上涨3%～8%及0%～5%。这包括品牌商为避免潜在政策调整带来的成本压力而积极调整生产，带动DRAM采购需求；同时，三星及SK海力士正处于制程转换期，且产能优先保障生产Server DRAM及HBM，导致PC DRAM及mobile DRAM的位元产出受限。

现货市场反应更为迅速，据DRAMeXchange数据，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb产品固定交易价格在4月共上涨22.22%。此轮涨价潮的核心驱动力是指向AI对存储需求的革命性影响，Yole Group预测，主要用于AI的HBM市场营收将从2024年的170亿美元增长到2030年的980亿美元。

SK海力士预计，到2025年其HBM销售额将占总内存销售额的50%以上。HBM凭借其高带宽、低延迟特性，成为AI服务器和高性能计算的标配。这种对HBM的旺盛需求正显著挤压DRAM的整体产能，推高其市场价值。

在此背景下，DRAM原厂无疑是本轮涨价的最大受益者。SK海力士2025年第一季度实现营业利润7.44万亿韩元，营业利润率高达42%。相比之下，模组厂商则普遍面临较大经营压力，由于终端需求传导不畅，模组零售价涨幅难以完全覆盖颗粒采购成本的上涨。

A股存储模组龙头佰维存储（688525.SH）和江波龙（301308.SZ）在2025年第一季度均出现净亏损，主要因存储芯片价格下滑、存货减值准备增加及AI终端产品模组实际交付量不及预期等。

HBM“引擎”持续轰鸣，传统需求与国产化添变数

展望2025年下半年及未来，存储市场机遇与不确定性并存。预计原厂位元产出持续受限，3Q25 DRAM合约价有望延续涨势。但同时，若上游政策调整带来的成本压力显著传导至终端消费意愿，DRAM价格涨幅可能弱于预期。

NAND Flash市场也逐步显现复苏迹象，预计NAND闪存和SSD价格在2025年第三季度将上涨10%～15%，第四季度或将进一步上涨8%～13%。AI PC和AI智能手机被视为可能搅动存量市场并激发换机需求的新增长点。

在此产业变革期，“国产化”为中国本土存储厂商带来了结构性的发展机遇。国产存储芯片在全球市场的占比从2023年的不足7%提升至2024年的约12%，增速可观。国际大厂如美光、三星等逐步退出部分中低阶市场竞争，为本土厂商提供了市场空间和客户导入机会。

然而，国产存储的崛起之路也面临挑战，本土企业在尖端技术领域与国际巨头存在技术代差和专利壁垒。多数A股存储模组厂商目前业务重心仍在消费电子市场，面临激烈的价格竞争和供应链自主可控能力的制约。

（文中采访对象刘明为化名）

（文章来源：财联社）