眼下，存储市场正经历AI需求高涨与消费终端市场萎缩的双重影响，导致产品需求呈现明显分化。企业界与分析人士纷纷用“冰火两重天”来形容这一现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，企业级产品需求激增，客户频繁询问出货时间；而模组厂商及其下游客户则陷入价格战，出货量依然不振。

展望未来，多位受访者预测，这一趋势将持续至明年。TrendForce集邦咨询预计，明年传统DRAM中，先进制程产品价格将保持稳定，而成熟制程则有跌价风险；NAND企业级与消费级产品价格将持续分化，整体价格预计在年初下跌，年中后有望回暖。值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片仍供不应求，海外供应商如三星、海力士正积极扩产，国产厂商亦在加速布局。

自2023年Q4以来，存储行业进入强势涨价周期，DRAM价格连续四个季度飙升，季涨幅均超10%。然而，此次涨价并非由需求大幅增长驱动，而是原厂不堪忍受亏损所致，导致消费级存储市场更加低迷。时创意董事长倪黄忠指出，2024年存储产业经历了“冰火两重天”，消费电子存储市场表现低迷，而AI则对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上涨。

在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。三星电子和海力士Q3营收均实现大幅增长，而模组厂商则面临下游需求不振、价格战激烈、出货量不畅等困境。以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨，但毛利率却下滑，与内存价格高峰及产品发布时间、节奏有关。因此，终端厂商减少存储备货，国内存储模组厂商如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等面临较大压力。

近期，存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条跌幅已逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，一些厂商将二手内存条拆成颗粒，打成一般消费型内存出货，扰乱了市场。然而，在企业级存储方面，需求依然旺盛，段喜亭表示常接到客户询问出货时间的电话。

集邦咨询数据显示，今年Q4，在经历了Q3至高20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体价格则预计在当季下跌3-8%。段喜亭总结称，AI的风目前还停留在资料中心，尚未吹到终端设备。展望未来，传统DRAM及NAND产品分化趋势仍将延续，而HBM则具有确定性增长。

倪黄忠预计，明年存储产业分化仍严重，AI热度持续但价格将走低；消费类存储将回归健康状态。集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱而价格呈跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求不明确，价格可能于今年第四季底开始下跌。NAND方面，明年整体合约价预计上涨15~20%，主要受企业级SSD年涨23~28%推动。

相较于传统DRAM及NAND的尴尬处境，HBM因AI服务器而异军突起，维持强势增长。吴雅婷表示，HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计价格上涨10%；HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨；整体来看，HBM需求量增长达到117%。段喜亭直言，目前还看不到HBM的替代品。HBM作为高带宽存储，内部由多层DRAM Die垂直堆叠而成，通过硅通孔技术实现与逻辑Die连接，实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。

目前，国产HBM尚未量产出货，但郭祚荣预计，2-3年内国产HBM将有较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设项目，并表示将打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产HBM产品。此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）