当前，存储市场正经历AI需求激增与消费终端市场疲软所带来的产品需求分化。多位企业及分析人士在接受财联社记者采访时，用“冰火两重天”来形容存储市场的现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面，企业级产品需求高涨，客户频繁询问出货时间；另一方面，模组厂商及其下游客户陷入“价格战”，出货量依然不振。

　　展望未来，多位受访者预计这一趋势将持续至明年。TrendForce集邦咨询分析预测，明年传统DRAM中，先进制程产品价格将保持稳定，而成熟制程产品则面临跌价风险；NAND企业级与消费级产品价格继续分化，整体价格预计年初下跌，年中后回暖。值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求，三星、海力士等海外供应商正积极扩产，国产厂商亦在加速研发。

　　存储市场“冰火交织”

　　自2023年Q4起，存储行业进入强势涨价周期。TrendForce集邦咨询数据显示，DRAM价格从去年Q4至今年Q3连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。然而，此次涨价主要源于原厂不堪亏损，而非需求大幅增长，导致本已低迷的消费级存储市场更加萎靡。

　　时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示，2024年存储产业呈现“冰火两重天”态势：消费电子存储市场表现疲软，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；而AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上扬。

　　在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。三星电子今年Q3总营收同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入亦创历史新高。然而，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭指出，下游需求不振导致模组厂商及客户竞相降价，出货量依然不畅，降价未能有效刺激需求。

　　以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨10.6%，但毛利率却下滑。总裁卢伟冰在财报电话会上表示，这与内存价格高峰及产品发布节奏有关。因此，终端厂商减少存储备货，模组等中下游环节的国内存储商面临较大压力，如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等国产存储模组厂商Q3出现净利润亏损。

　　近期，存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条跌幅逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，一些厂商将二手内存条拆成颗粒，以一般消费型内存出货，扰乱市场。然而，在企业级存储方面，需求依然旺盛，段喜亭表示常接到客户询问出货时间。

　　根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3至高20%的涨价后，企业级SSD预计单季增长0-5%，而NAND整体价格则预计下跌3-8%。段喜亭总结道，AI的风目前还停留在数据中心，尚未吹到终端设备。

　　传统产品分化持续，HBM前景确定

　　倪黄忠认为，明年存储市场分化依然严重，AI热度持续但价格将走低，消费类存储将回归健康状态。传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，价格已呈跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求展望不明，价格不排除于今年第四季底开始下跌。集邦咨询预计传统DRAM明年每季下跌3-8%。

　　NAND方面，今年价格整体上涨约43~48%，集邦咨询预计明年整体合约价上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。不过，涨价主要发生在下半年，Q2前NAND市场整体价格较为平稳。

　　相较于传统DRAM及NAND的尴尬处境，HBM因AI服务器而异军突起，维持强势。吴雅婷表示，HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计价格上涨10%；HBM3e12hi量产将进一步带动均价上涨；整体来看，HBM需求量增长达117%。段喜亭直言，目前可见的未来，还看不到HBM的替代品。

　　HBM即高带宽存储，属于DRAM大类，通过多层DRAM Die垂直堆叠及硅通孔技术实现高带宽、高传输速度。目前，已量产出货的HBM中未见国产厂商身影，但郭祚荣表示，国产HBM或将在2-3年内有较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布相关招标项目，打造国产高带宽存储器(HBM)产品，并已披露IPO辅导备案报告。此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）