眼下，存储市场正经历着AI需求高涨与消费终端市场萎靡所带来的产品需求分化现象。多位企业高管与分析人士在近期接受财联社记者采访时，用“冰火两重天”来形容当前存储市场的状态。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面企业级产品需求高涨，客户频繁询问出货时间；另一方面，模组厂商及其下游客户却在进行激烈的价格战，出货量依然不畅。

展望未来，多位受访者预测，这一趋势将持续至明年。TrendForce集邦咨询分析预计，明年传统DRAM中，先进制程产品价格将保持稳定，而成熟制程则面临跌价风险；NAND企业级与消费级产品价格继续分化，整体价格预计年初下跌，年中后回暖。值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求，除三星、海力士等海外供应商积极扩产外，国内厂商也在加速研发。

自2023年Q4起，存储行业进入强势涨价周期。以DRAM为例，TrendForce集邦咨询数据显示，从去年Q4到今年Q3，DRAM价格连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。然而，此次涨价主要源于原厂不堪亏损，而非需求大幅增长，导致原本低迷的消费级存储市场更加萧条。

时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示，2024年存储产业经历了“冰火两重天”的行情。消费电子存储市场表现低迷，智能手机、笔电市场旺季不旺；而AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上涨。在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分歧。

原厂三星电子今年Q3总营收同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入环比增长7%，同比增长94%，创历史新高。然而，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭指出，下游需求不畅导致模组厂商及客户开始价格战，即使价格疲软，出货量依然不畅，降价并未刺激需求端。

以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨10.6%，但毛利率却下降。总裁卢伟冰在财报电话会上表示，这与第三季度是内存价格最高峰及产品发布时间和节奏有关。因此，终端厂商减少存储备货，以模组等中下游环节为主的国内存储商面临较大压力，如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等国产存储模组厂商Q3出现净利润亏损。

近期，存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条近半年多跌幅已逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，一些厂商将二手内存条拆成颗粒，打成一般消费型内存出货，扰乱了市场。然而，在企业级存储方面，需求非常旺盛，段喜亭表示常接到客户询问出货时间的电话。

根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3至高20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体却预计在当季下跌3-8%。段喜亭总结道，AI的风目前还停留在资料中心，尚未吹到终端设备。

展望未来，倪黄忠认为，明年存储市场分化将依然严重，AI热度持续但价格会走低；消费类存储将回归相对健康状态。集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，价格已呈现跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求展望尚不明确，价格不排除于今年第四季底开始下跌。集邦咨询预计传统DRAM在明年每季下跌3-8%。

NAND方面，集邦咨询预计明年整体合约价上涨15~20%，主要来自企业级SSD年涨23~28%的促进。然而，涨价主要将在下半年发生，Q2之前NAND市场整体价格较为平稳。相较于传统DRAM及NAND的尴尬处境，因AI服务器而异军突起的HBM则维持强势。吴雅婷表示，目前HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计同产品价格上涨10%；HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨；整体来看，HBM需求量增长达到117%。

段喜亭直言，目前还看不到HBM的替代品。HBM即高带宽存储，内部由多层DRAM Die垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）技术实现与逻辑Die连接，实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。GPU在做大语言模型运算时，需要巨量数据运算，因此需要使用HBM。目前，已量产出货的HBM中未见国产厂商身影，但郭祚荣表示，或许将在2-3年内国产HBM将有较大突破。

长江存储集团下的武汉新芯公司已发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产HBM产品。此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）