当前，存储市场正遭遇AI需求持续攀升与消费终端市场疲软所带来的产品需求分化。多位企业高管及分析人士在近期接受财联社记者采访时，用“冰火两重天”来形容存储市场的现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面，企业级产品需求高涨，“我们经常接到客户的电话，询问我们的企业级产品何时能出货”；另一方面，模组厂商及其下游客户正陷入“价格战”，出货情况依然不乐观。

　　展望未来，多位受访者表示，这一趋势预计将持续至明年。

　　TrendForce 集邦咨询分析预测，明年传统DRAM中，先进制程产品价格预计将保持稳定，而成熟制程产品则存在跌价风险；NAND方面，企业级与消费级产品价格将持续分化，整体价格预计年初下跌，年中后逐渐回暖。值得注意的是，被视为当前GPU最佳存储解决方案的HBM芯片仍处于供不应求的状态，除三星、海力士等海外供应商积极扩产外，国内厂商也已踏上征程。

　　存储市场遭遇“冰火两重天”

　　自2023年Q4开始，存储行业进入强势涨价周期。以DRAM为例，TrendForce 集邦咨询数据显示，从2023年Q4至2024年Q3，DRAM价格连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。

　　然而，此次涨价并非由需求大幅增长推动，而是原厂难以承受亏损所致，这进一步加剧了本已低迷的消费级存储市场的困境。

　　“2024年，存储产业经历了‘冰火两重天’的行情。一方面，消费电子存储市场表现疲软，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；另一方面，AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上涨。”时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上接受财联社记者采访时表示。

　　在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。

　　三星电子今年Q3总营收达79.1万亿韩元（约573亿美元），同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入为17.57万亿韩元，环比增长7%，同比增长94%，创历史新高。

　　与此同时，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭表示，“在下游需求不振的情况下，许多模组厂商及客户开始竞相杀价，以求出货。然而，即使终端价格疲软，出货量依然不畅，因为降价并未有效刺激需求。”

　　以小米为例，今年Q3小米集团（01810.HK）智能手机ASP由2023年第三季度的每部997.0元上涨10.6%至每部1102.2元；但智能手机毛利率却由2023年第三季度的16.6%减少至2024年第三季度的11.7%。总裁卢伟冰在财报电话会上称，这与第三季度是内存价格的最高峰及产品的发布时间和节奏有关。

　　因此，有消息称终端厂商正在减少存储备货。以模组等中下游环节为主的国内存储商面临较大压力，如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等国产存储模组厂商均在Q3出现净利润亏损。

　　值得一提的是，近期存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条近半年多跌幅已超过40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，还存在其他因素，“近期存储现货跌价严重，实际上与一些厂商将二手内存条拆成颗粒，以一般消费型内存出货有关，这扰乱了整个市场。”

　　“但在企业级存储方面，现在非常火热，我们经常接到客户的电话，询问何时能搞定、何时能出货等，所以目前市场状况非常两极化。”段喜亭表示。

　　根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3高达20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体却预计在当季下跌3-8%。

　　“AI的风目前还停留在数据中心，尚未吹到终端设备。”对于上述分歧的原因，段喜亭总结道。

　　传统产品分化趋势延续，HBM前景确定

　　“我认为明年这种分化依然严重。AI热度将持续，但价格会走低；消费类存储将回归相对健康的状态。”倪黄忠说。

　　传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求前景不明，加上部分买卖双方库存水平偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。在此情况下，集邦咨询预计传统DRAM在明年每季下跌3-8%。

　　NAND方面，在今年价格整体上涨约43~48%的情况下，集邦咨询预计明年整体合约价将上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。不过，明年的涨价主要集中在下半年，Q2之前NAND市场整体价格较为平稳。

　　相较于传统DRAM及NAND当前的困境，因AI服务器而崛起的HBM则依然保持强劲势头。

　　吴雅婷表示，目前HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计同产品价格上涨10%；HBM3e12hi的量产将进一步推动均价上涨；整体来看，HBM需求量增长达到117%。

　　当被问及其他存储芯片在GPU等AI芯片生产中能否替代HBM时，段喜亭直言：“在目前可见的未来，还看不到HBM的替代品。”

　　HBM即高带宽存储，属于DRAM大类。其内部由多层DRAM Die垂直堆叠而成，每层Die通过硅通孔（TSV）技术与逻辑Die连接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，从而实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。

　　段喜亭解释称，GPU在做大语言模型运算时，会一次性吸收大量数据进行运算，提供的数据越多，运算效率越高，因此对存储的资料吞吐量要求很高。单颗DRAM资料存储量低，吞吐量不足，因此需要使用由DRAM堆叠而成的HBM。

　　目前，已量产出货的HBM中尚未见国产厂商身影，但郭祚荣表示，国产HBM或将在2-3年内取得较大突破。

　　“之前听到国内内存厂开始研发HBM的消息，我认为以国内厂商的研发能力，两三年之内应该可以看到国产HBM开始供货。从工厂的技术设备等硬实力来看，我认为是足够的。”郭祚荣说。

　　如长江存储集团下的武汉新芯公司，于今年三月发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，表示将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。日前，该公司已在湖北证监局披露IPO辅导备案报告。

　　此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）