复旦团队突破存储技术极限，“破晓”皮秒闪存技术问世
AI导读：
复旦大学团队通过构建准二维泊松模型，预测超注入现象，打破存储速度理论极限，研制出“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度提升至亚1纳秒，成果在《自然》期刊发表。
人民财讯4月16日电，据复旦大学消息，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队取得重大突破。他们通过构建准二维泊松模型，在理论上成功预测了超注入现象，这一发现打破了现有存储速度的理论极限。团队成功研制出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，这标志着世界上最快的半导体电荷存储技术诞生。相关研究成果以《亚纳秒超注入闪存》（Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection）为题，于北京时间4月16日晚间在国际权威期刊《自然》（Nature）上发表，引起了业界的广泛关注。这一技术突破将对未来的存储技术产生深远影响。
（文章来源：人民财讯）
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