AI导读：

国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在氮化镓/碳化硅集成领域取得重大突破，研制出高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，显著降低缺陷密度，提升散热性能，为氮化镓技术提供新方案。

　　记者昨日从市国资委了解到，由市属国企深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，能显著降低氮化镓外延材料的缺陷密度，大幅提升散热性能，各项指标均达到国际领先水平，有望从根本上解决其可靠性问题。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备，为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案，为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。

（文章来源：深圳特区报）