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  • 氮化镓集成技术突破,国创中心引领国际领先

    国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在氮化镓/碳化硅集成领域取得重大突破,研制出高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延,显著降低缺陷密度,提升散热性能,为氮化镓技术提供新方案。...

    2025-08-13