韩美半导体混合键合机2027年上市，HBM/SoC封装技术迎突破
AI导读：
韩国半导体设备商韩美半导体宣布，用于高带宽存储器(HBM)的混合键合机预计2027年上市，片上系统(SoC)机型2028年推出，推动半导体封装技术升级。
韩国半导体设备商韩美半导体宣布重大技术进展，其专为高带宽存储器（HBM）设计的混合键合机预计将于2027年正式上市。该设备将显著提升HBM的封装效率与性能，为AI、数据中心等领域提供关键技术支持。同时，针对片上系统（SoC）的混合键合机也计划于2028年推出，进一步巩固韩美半导体在先进封装领域的市场地位。这一系列技术突破，标志着半导体封装技术向更高集成度、更低功耗方向迈进。
（文章来源：科创板日报）
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