超注入闪存技术突破存储速度极限
集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型,预测了超注入现象,成功研制出皮秒闪存器件,擦写速度可提升至亚1纳秒,是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术,有望颠覆现有存储器架构,推动应用场景革新。...
复旦团队研制出亚纳秒超注入闪存,引领存储技术变革
复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制出“破晓(PoX)”皮秒闪存器件,擦写速度达到亚1纳秒,是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。该技术有望改变全球存储技术格局,推动产业升级,并催生全新应用场景。...


