当前，存储市场正经历一场由AI需求激增与消费终端市场疲软引发的产品需求分化风暴。多位企业及分析界人士近日在接受财联社记者采访时，以“冰火两重天”这一形象说法，描绘了存储市场的现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面，企业级产品需求火爆，“频繁接到客户电话，询问我们的企业级产品何时能出货”；另一方面，模组厂商及其下游客户正陷入“价格战”的泥潭，出货量依然不振。

　　展望未来，多位受访者表示，这一趋势预计将持续至明年。

　　TrendForce集邦咨询分析预测，明年传统DRAM中，先进制程产品价格预计保持稳定，而成熟制程产品则面临跌价风险；NAND方面，企业级与消费级产品价格将持续分化，整体价格预计年初下跌，年中后逐步回暖。值得一提的是，被视为当前GPU最佳存储解决方案的HBM芯片，目前仍处于供不应求的状态，除三星、海力士等海外供应商积极扩产外，国内厂商也已踏上征程。

　存储市场“冰火交织”

　　自2023年Q4起，存储行业步入强势涨价周期。以DRAM为例，TrendForce集邦咨询数据显示，从2023年Q4至2024年Q3，DRAM价格连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。

　　然而，此次涨价主要源于原厂不堪亏损压力，而非需求大幅增长所致，这使得本就低迷的消费级存储市场雪上加霜。

　　“2024年，存储产业经历了‘冰火两重天’的行情。一方面，消费电子存储市场表现萎靡，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；另一方面，AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续攀升。”时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示。

　　在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商在盈利能力上出现了明显分歧。

　　三星电子今年Q3总营收达79.1万亿韩元（约合573亿美元），同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入为17.57万亿韩元，环比增长7%，同比增长94%，创历史新高。

　　另一方面，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭指出，“在下游需求不振的情况下，许多模组厂商及客户开始通过降价竞争以图出货，导致价格疲软。然而，即便终端价格下滑，出货量依然不畅，降价并未有效刺激需求。”

　　以小米为例，今年Q3小米集团（01810.HK）智能手机ASP由2023年第三季度的每部997.0元上涨10.6%至今年的每部1102.2元；但智能手机毛利率却由2023年第三季度的16.6%下滑至2024年第三季度的11.7%。总裁卢伟冰在财报电话会上表示，这与第三季度是内存价格高峰期及产品发布时间和节奏有关。

　　因此，有消息称终端厂商正在减少存储备货。以模组等中下游环节为主的国内存储商面临较大压力，如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等国产存储模组厂商在Q3均出现了净利润亏损。

　　值得注意的是，近期存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条近半年多跌幅已超过40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，还有其他因素在起作用，“近期存储现货跌价严重，实际上与一些厂商将二手内存条拆解成颗粒，然后以一般消费型内存的形式出货有关，这扰乱了整个市场。”

　　“但在企业级存储方面，现在非常火热，我们经常接到客户电话，询问何时能完成生产并出货，因此目前市场状况非常两极化。”段喜亭表示。

　　根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3高达20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体价格却预计在当季下跌3-8%。

　　“AI的风目前还停留在数据中心，尚未吹到终端设备上来。”对于上述分歧的原因，段喜亭总结道。

　　传统产品分化持续，HBM前景确定

　　“我认为明年这种分化依然会非常严重。AI热度将持续，但价格会有所下降；消费类存储将回归到一个相对健康的状态。”倪黄忠表示。

　　传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷指出，2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求前景尚不明朗，加上部分买卖双方库存水平偏高，价格不排除在今年第四季底开始下跌。在此情况下，集邦咨询预计传统DRAM在明年每季将下跌3-8%。

　　NAND方面，在今年价格整体上涨约43~48%的情况下，集邦咨询预计明年整体合约价将上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。不过，明年的涨价主要将发生在下半年，Q2之前NAND市场整体价格将保持平稳。

　　相较于传统DRAM及NAND当前的困境，因AI服务器而崛起的HBM则依然保持强劲势头。

　　吴雅婷表示，目前HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计同产品价格上涨10%；而HBM3e12hi的量产将进一步推动均价上涨；整体来看，HBM的需求量增长达到117%。

　　当被问及其他存储芯片在GPU等AI芯片生产中能否替代HBM时，段喜亭直言：“就目前可见的未来而言，还看不到HBM的替代品。”

　　HBM即高带宽存储，属于DRAM大类。其内部由多层DRAM Die垂直堆叠而成，每层Die通过硅通孔（TSV）技术与逻辑Die相连，使得8层、12层Die能够封装于小体积空间中，从而实现小尺寸与高带宽、高传输速度的完美结合。

　　段喜亭解释说，GPU在进行大语言模型运算时，需要一次性吸收大量数据进行运算，提供的数据越多，运算效率越高，因此对存储的数据吞吐量要求极高。单颗DRAM的数据存储量较低，数据吞吐量不足，因此需要使用由DRAM堆叠而成的HBM。

　　目前，已量产出货的HBM中尚未见到国产厂商的身影，但郭祚荣表示，或许在2-3年内，国产HBM就将取得较大突破。

　　“之前有听说国内内存厂开始研发HBM的消息，我认为以国内厂商的研发能力来看，两三年之内应该可以看到国产HBM开始供货。从工厂的技术设备等硬实力方面来说，我认为是足够的。”郭祚荣表示。

　　如长江存储集团下的武汉新芯公司，于今年三月发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，表示将利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。日前，该公司已在湖北证监局披露IPO辅导备案报告。

　　此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）