二维材料挑战硅半导体地位,突破性研究亮相《自然》杂志
AI导读:
美国宾夕法尼亚州立大学研究团队在《自然》杂志上发表突破性成果,首次利用二维材料制造出可执行简单操作的计算机,标志着向制造更薄、更快、更节能电子产品迈出了重要一步,对硅材料行业带来深远影响。
硅在智能手机、电脑、电动汽车等产品的半导体技术中一直占据核心地位,但美国宾夕法尼亚州立大学领导的研究团队发现,“硅王”的统治地位可能面临挑战。该团队在最新一期《自然》杂志上发表了突破性成果:首次利用二维材料制造出可执行简单操作的计算机。这一研究标志着向制造更薄、更快、更节能的电子产品迈出了关键步伐,对硅材料行业带来深远影响。
此次开发的是一种互补金属氧化物半导体(CMOS)计算机,其特别之处在于未使用硅,而是采用了两种二维材料——二硫化钼(用于n型晶体管)和二硒化钨(用于p型晶体管)。这两种材料厚度仅一个原子,在微小尺度下仍能保持卓越电子性能,展现了超越硅的优势。
团队运用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,成功生长出大面积的二硫化钼和二硒化钨薄膜,并分别制造出超过1000个n型和p型晶体管。通过精细调整制造工艺,团队成功调控了晶体管的阈值电压,构建了功能完备的CMOS逻辑电路。
这台二维CMOS计算机被称为“单指令集计算机”,能在低电源电压下运行,功耗极低,且能在25千赫频率下执行简单逻辑运算。尽管目前工作频率低于传统硅基CMOS电路,但仍能完成基本计算任务。团队还开发了计算模型,结合实验数据和设备差异,预测二维CMOS计算机性能,并通过基准测试与最先进硅技术进行对比。
团队指出,尽管仍有优化空间,但这一成果已是二维材料在电子领域应用的重要里程碑。它不仅为下一代电子设备提供了全新材料选择,也为未来芯片设计开辟了新路径。
(文章来源:科技日报)
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