AI大模型驱动存储芯片市场复苏，HBM3E技术引领未来
AI导读：
AI大模型训练对内存带宽需求激增，传统DDR内存已无法满足。HBM3E技术通过3D堆叠实现高达819GB/s的带宽，较DDR5提升5倍以上。存储芯片行业正处技术创新与需求复苏期，2025年全球市场预计突破2300亿美元。
南方财经3月13日电，据上证报报道，随着AI大模型训练的快速发展，其对内存带宽的需求正呈指数级增长，传统的DDR内存已难以支撑这一需求。HBM（高带宽内存）通过先进的3D堆叠技术，将DRAM芯片垂直堆叠，最新的HBM3E技术更是实现了惊人的819GB/s带宽，相较于DDR5提升了5倍以上。在AI服务器中，HBM的成本占比高达20%-30%，仅次于核心的AI计算芯片。
研究机构指出，当前存储芯片行业正迎来技术创新与市场需求复苏的双重利好。预计至2025年，全球存储市场将持续保持双位数增长，市场规模有望突破2300亿美元大关。在巨头厂商减产、AI推理市场刺激下游需求增长以及技术持续创新的三重驱动下，存储芯片市场将迎来持续的复苏态势。
（文章来源：南方财经网）
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