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甬兴证券发布观点，分析2024年四季度全球NANDFlash和DRAM市场规模及价格趋势。NANDFlash市场规模环比下降但同比增长，DRAM市场规模环比增长。此外，三星计划推出“移动HBM”。市场端存储现货行情趋稳，部分资源供应紧俏。

2月27日，甬兴证券发表观点，关注半导体存储市场动态。

NAND方面，2024年四季度全球NANDFlash市场规模达到174.1亿美元，环比下降8.5%，但同比增长高达42.4%。据DRAMexchange数据，上周（20250217-0221）NAND颗粒22个品类现货价格呈现小幅波动，平均涨跌幅仅为0.29%。受eSSD采购需求放缓及移动和PC应用市场疲软影响，四季度NANDFlash的平均售价（ASP）和位出货量均环比下降。值得注意的是，继三季度SK海力士出现环比下滑后，四季度所有原厂NANDFlash收入均出现不同程度的环比下滑。

DRAM市场方面，2024年四季度全球DRAM市场规模达到293.45亿美元，环比增长13.5%，同比增长66.1%。据DRAMexchange数据，上周DRAM18个品类现货价格同样波动较小，平均涨跌幅为-0.07%。AI服务器需求持续旺盛，推动了对HBM及高容量DDR5的需求，三星和SK海力士存储收入创历史新高。然而，消费类需求持续疲软，导致传统DRAM销售收入下滑。整体来看，四季度DRAM ASP环比增长，但DRAM位出货量环比下降。

此外，三星计划于2028年推出“移动HBM”。据科创板日报报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官透露，首款搭载LPWDRAM内存的移动产品将于2028年上市。LPWDRAM通过堆叠LPDDRDRAM，大幅增加I/O接口，提高性能并降低耗电量，被誉为“移动HBM”，其带宽可达200GB/s以上，较现有LPDDR5x提升166%。

市场端方面，存储现货行情趋稳，部分资源供应紧俏，导致低容量嵌入式价格跟随成本上扬。据CFM闪存市场报道，由于部分低容量资源供应短缺，成本上升推动相应嵌入式产品涨价；渠道市场部分低端资源也出现涨价现象，但受制于需求疲软，渠道SSD价格难以实现跟涨；行业端个别厂商出现杀价动作，市场需求无明显变化。整体来看，本周存储现货市场普遍维持平稳。

（文章来源：财中社）