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台积电将在未来两年内逐步退出氮化镓晶圆代工业务，英诺赛科董事长骆薇薇认为氮化镓产业不适合代工，IDM模式更为适合。全球GaN功率器件市场规模增长显著，英诺赛科在新能源汽车、AI等领域取得突破，正在扩产。

《科创板日报》7月10日讯（记者陈俊清）全球晶圆代工龙头台积电将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务。纳微半导体公布8-K文件，提到获悉台积电将于2027年7月停止GaN生产后，将实现供应来源多元化。台积电证实退出计划，称是基于市场动态与公司长期业务策略的选择。

英飞凌宣布其300mm晶圆首批样品将于2025年第四季度向客户提供。“氮化镓产业不适合代工”，英诺赛科董事长骆薇薇、CEO吴金刚接受《科创板日报》专访时表示。英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，骆薇薇认为氮化镓晶圆不适合代工模式，GaN器件需与设计、应用深度协同，IDM模式更为适合。

多名业内人士表示，目前实现12英寸氮化镓晶圆产业化仍有较大阻碍，骆薇薇认为首当其冲的是市场目前并没有MOCVD厂商公开宣布已推出支持12英寸氮化镓外延的解决方案，其次从8英寸到12英寸的技术挑战巨大。

氮化镓市场需求增量明显，Yole预测，全球GaN功率器件市场规模将从2023年的约5亿美元增长至2029年的22亿美元，CAGR达43%。集邦咨询预计到2030年市场规模将突破43.76亿美元，CAGR达49%。英诺赛科2024年财报显示，在新能源汽车、AI以及人形机器人领域取得较大突破。

骆薇薇表示，短期业务增速较快的领域主要集中在消费电子，长期工业领域的市场空间更大。吴金刚透露，英诺赛科以1200V器件为突破口，聚焦汽车和工业场景，与碳化硅形成差异化竞争。车载专用氮化镓器件是研发重点方向之一。英诺赛科正在扩产，计划在2025年底达到每月2万片的产能，目标2028年实现每月生产7万片氮化镓晶圆。

（文章来源：科创板日报）