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二维半导体二硫化钼作为硅基芯片的替代方案备受关注。南京大学和东南大学的研究团队通过创新技术解决了大规模制备二硫化钼薄膜的难题，为二维半导体从实验室走向生产线提供了重要支持。

随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。团队提出引入氧气辅助，让氧气在高温环境下与前驱体中的碳元素相结合，减少碳污染。实验结果显示，薄膜生长速率较传统方法提升两到三个数量级。