内存需求火爆，三星电子、海力士双双涨超6%
南方两倍做多三星电子、海力士涨超6%，内存需求推动DRAM价格强劲上行。瑞银报告称，2025年第四季度DDR内存合同价格预计环比涨幅达21%或更高，上调两家公司目标价及盈利预测。...
存储芯片掀涨价潮，市场规模与业绩双双看涨
存储芯片板块11月10日早盘活跃，闪迪大幅上调NAND闪存合约价格。市场对存储芯片市场规模乐观，全球及国内销售额有望高增长。板块业绩大幅改善，杠杆资金抢筹，涨价趋势有望延续。...
DRAM与NAND Flash价格激增，存储芯片市场活跃
集邦咨询报告显示，DRAM方面DDR4及DDR5交易量激增，DDR4现货均价环比上涨9.86%；NAND Flash价格本周持续上涨，各容量Wafer价格平均涨幅达15%-20%。...
A股指数涨跌不一，存储芯片市场迎来牛市，DRAM与NAND价格看涨
A股三大指数今日涨跌不一，存储模组大厂称存储产品全面缺货，行业将迎牛市。AI技术发展推动存储芯片需求，多家证券机构看好四季度DRAM和NAND价格增长，2026年大容量QLCSSD或爆发性增长。...
存储芯片市场领涨，巨头涨价与AI基建双重驱动
全球存储芯片巨头涨价带动市场领涨，9月30日早盘存储芯片概念涨幅榜首位。NAND大厂闪迪、三星等相继发布涨价函，DRAM价格指数半年涨72%。AI基建需求激增，HBM技术成AI加速卡价值中枢，预计四季度存储价格维持上涨。...
香港证监会会议与财经资讯速递
香港证监会召开数字资产咨询小组会议，国金证券筹备申请虚拟资产交易牌照，自动驾驶测试场景评价标准发布，Q3一般型DRAM价格预计增长，科创债ETF一日募满，HBM短缺或延续至2027年。...
