DRAM与NAND价格齐涨 存储市场或迎新一轮波动
TrendForce报告显示DRAM芯片报价超模块价，预示短期大幅上涨；512Gb TLC NAND晶圆涨17.1%至6.455美元，供应紧张或延续至下季度，存储市场波动性增强。...
内存需求火爆，三星电子、海力士双双涨超6%
南方两倍做多三星电子、海力士涨超6%，内存需求推动DRAM价格强劲上行。瑞银报告称，2025年第四季度DDR内存合同价格预计环比涨幅达21%或更高，上调两家公司目标价及盈利预测。...
存储芯片掀涨价潮，市场规模与业绩双双看涨
存储芯片板块11月10日早盘活跃，闪迪大幅上调NAND闪存合约价格。市场对存储芯片市场规模乐观，全球及国内销售额有望高增长。板块业绩大幅改善，杠杆资金抢筹，涨价趋势有望延续。...
DRAM与NAND Flash价格激增，存储芯片市场活跃
集邦咨询报告显示，DRAM方面DDR4及DDR5交易量激增，DDR4现货均价环比上涨9.86%；NAND Flash价格本周持续上涨，各容量Wafer价格平均涨幅达15%-20%。...
A股指数涨跌不一，存储芯片市场迎来牛市，DRAM与NAND价格看涨
A股三大指数今日涨跌不一，存储模组大厂称存储产品全面缺货，行业将迎牛市。AI技术发展推动存储芯片需求，多家证券机构看好四季度DRAM和NAND价格增长，2026年大容量QLCSSD或爆发性增长。...
存储芯片市场领涨，巨头涨价与AI基建双重驱动
全球存储芯片巨头涨价带动市场领涨，9月30日早盘存储芯片概念涨幅榜首位。NAND大厂闪迪、三星等相继发布涨价函，DRAM价格指数半年涨72%。AI基建需求激增，HBM技术成AI加速卡价值中枢，预计四季度存储价格维持上涨。...
内存市场动态：DRAM价格飙升交易受限，NAND市场回暖QLC抢眼
TrendForce报告显示，DRAM供应紧张但价格飙升致交易量有限，NAND市场价格上涨且询盘回暖，QLC产品表现尤为突出。...
市场新闻与行业掘金：保险资金、科创板及AI等热点
财政部推动保险资金建立长周期考核机制，有望为A股带来增量资金；上交所发布科创成长层业务规则，服务未盈利科技型企业；工信部提出深化关键融合技术攻关，AI行业迎来转折点；DRAM价格翻倍，海力士上调合约价；RISC-V中国峰会将举办，架构优势凸显。...
香港证监会会议与财经资讯速递
香港证监会召开数字资产咨询小组会议，国金证券筹备申请虚拟资产交易牌照，自动驾驶测试场景评价标准发布，Q3一般型DRAM价格预计增长，科创债ETF一日募满，HBM短缺或延续至2027年。...
DRAM市场价格走势分化，新旧产品表现各异
集邦咨询调查显示，因产能转向高阶产品，2025年第三季一般型DRAM价格季增10%至15%，DDR4供不应求，价格预计增长40%至45%，DDR5涨幅温和，市场呈现新旧产品价格走势分化。...
2025年Q3 DRAM价格预增10%-20%，HBM纳入涨幅扩大
据TrendForce集邦咨询调查，三大DRAM原厂转向高阶产品，旧世代产品EOL引发积极备货，叠加旺季动能，预计2025年Q3一般型DRAM价格季增10%-15%，纳入HBM后涨幅扩大至15%-20%。...
2025年Q3 DRAM价格预增10%-20%，HBM纳入涨幅扩大.
据TrendForce集邦咨询调查，三大DRAM原厂转向高阶产品，旧世代产品EOL引发积极备货，叠加旺季动能，预计2025年Q3一般型DRAM价格季增10%-15%，纳入HBM后涨幅扩大至15%-20%。...
存储巨头美光涨价，DRAM价格跌幅收敛
中信建投证券研报指出，存储巨头美光发布涨价通知，因市场需求超预期增长。TrendForce预测，DRAM价格跌幅将收窄。存储大厂产能调控已显成效，主流存储产品价格回升。未来涨价态势需关注终端需求复苏及库存消化进度，存储周期缩短、波动加剧需重点留意。...
存储大厂美光发布涨价通知，DRAM价格跌幅收窄
中信建投证券研报显示，存储大厂美光发布涨价通知，因需求超预期增长。TrendForce预测DRAM价格跌幅将收窄。存储大厂实施的产能调控措施已初显成效，但后续涨价趋势需关注终端需求和库存消化进度。未来需重点关注头部厂商产能策略及终端厂商备货节奏。...
