新型二维半导体材料取得突破
国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得突破，为后摩尔时代芯片技术提供关键材料和器件支撑。研究团队实现了单层氮化钨硅薄膜的可控生长，其综合性能在同类二维材料中表现突出，在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔应用前景。...
国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得突破，为后摩尔时代芯片技术提供关键材料和器件支撑。研究团队实现了单层氮化钨硅薄膜的可控生长，其综合性能在同类二维材料中表现突出，在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔应用前景。...
