中国团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代芯片技术提供关键材料和器件支撑。研究团队建立了新的制备方法，使二维材料的单晶区域尺寸达到亚毫米级别，并表现出优异的晶体管性能。...
