国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得突破，为后摩尔时代芯片技术提供关键材料和器件支撑。研究团队实现了单层氮化钨硅薄膜的可控生长，其综合性能在同类二维材料中表现突出，在二维半导体CMOS集成电路中具有广阔应用前景。...

北京大学研究团队创新性地开发出一种多物理域融合计算架构，利用后摩尔时代的新型器件支持傅里叶变换等多样化计算方式，显著提升运算速度，为人工智能等领域提供新的可能性。...

10月16日，在第二届湾区半导体投融资战略发展论坛上，专家表示半导体行业进入后摩尔时代，摩尔定律难以为继，行业正探索新架构、新材料等技术路线以提升芯片性能。...