AI导读：

HBM迭代快速，预计HBM3e将占据2025年出货份额超90%，2026年HBM4将开始渗透市场。SiC产业产能扩张，6英寸晶圆供过于求，8英寸转型减速。GaN正处于大规模应用临界点，汽车、AI等领域蕴藏巨大潜力。

人民财讯6月12日电，在日前集邦咨询主办的“TSS 2025半导体产业高层论坛”上，集邦咨询分析师许家源表示，HBM迭代速度惊人，预计HBM3e将在2025年占据出货份额超90%，并预测2026年HBM4将开始进入市场，供货商计划在2026年第二季度实现量产。SK海力士稳居HBM主力供应商宝座，而美光正迅速追赶；英伟达则持续保持HBM消费市场最大份额，预计HBM供需将继续保持平衡状态。此外，随着HBM在整体内存产能中的比重持续上升，其排挤效应正深刻影响内存行业的供给格局，预计2025年内存平均售价将继续受HBM供需变化的影响。集邦咨询另一位分析师龚瑞骄指出，近年来SiC产业经历了大规模的产能扩张，6英寸SiC晶圆已供过于求，8英寸转型进程有所放缓。同时，以中国车企为代表的全球汽车行业高度重视SiC供应链布局。GaN正处于大规模应用的临界点，正由中低功率消费电子向高功率应用拓展，特别是在汽车、AI数据中心、人形机器人等领域展现出巨大潜力。

（文章来源：人民财讯）