近期，部分存储产品迎来了一波涨价潮。“有的涨幅甚至达到了100%，而有的一个月内就涨了50%，本月涨幅极为显著。”深圳一家头部存储模组厂商的销售负责人张丽（化名）向第一财经记者透露，DRAM产品近期涨价明显，特别是DDR4和DDR3，背后的主要驱动力并非需求增长，而是原厂停产。

　　DRAM，即动态随机存取存储器，是目前最主要的两种存储颗粒之一。DDR4和DDR3分别是其第四代和第三代产品。市场研究机构的数据显示，近期DDR4的价格涨势尤为迅猛。

　　涨价频发

　　据闪存市场数据，截至5月27日的一周内，多款DDR4产品价格上涨，其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别上涨3.95%、15%、10%。TrendForce集邦咨询近期发布的市场动态显示，多种DDR4颗粒现货价格持续上涨。

　　“深圳市场表现火热，买家询价频繁，部分DDR4价格持续攀升，目标价格也有所上调，但仍难以跟上报价节奏。” TrendForce集邦咨询在报告中指出。

　　“上周（采购时）报价4元，你问3.8元行不行。这周再来询价，我说已经4.5元了，你又问能否按上周的4元，我说不好意思，现在已经涨到4.8元了。”张丽形容道。

　　涨价背后，今年2月，有消息称美光、三星和SK海力士计划在今年年底前停产DDR3和DDR4内存。4月，三星通知PC制造商，将于年底前停产DDR4，最后订购日期定为6月。

　　虽然三星未回应市场消息并证实DDR4停产，但市场已出现连锁反应。TrendForce集邦咨询称，三星、美光DDR3、DDR4停产传闻引发DRAM市场连锁反应，出现备货潮。原厂宣布EOL（终止生产）后，买方纷纷抢购补充库存，导致4月至5月颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨。

　　闪存市场指出，受原厂停产部分DDR4、减产LPDDR4X影响，涨价效应已蔓延至渠道成品，本周渠道DDR5内存条价格也随之上调。

　　不仅DDR4涨价，NAND Flash（主要闪存颗粒）也有部分产品涨价。张丽表示，涨价最多的是32Gb及以下的MLC NAND Flash，主要用于智能家居、电视等，三星占据较大市场份额。同样因原厂停产通知，MLC NAND Flash市场供应减少，导致近期涨价。

　　原厂生产调整

　　虽然存储行情逐步改善，但整体需求尚未强劲反弹，涨价仍为局部现象。

　　以NAND Flash为例，TrendForce集邦咨询报告称，第一季度NAND Flash供应商面临库存压力和终端客户需求下滑，平均销售价格下降15%，出货量环比减少7%。预计第二季度价格将触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10%。

　　从存储市场整体规模看，今年预计比去年增长1%~2%。积极因素包括去库存后价格得到支撑、AI应用带来大容量存储需求。

　　部分存储颗粒涨价，是因为这些产品非最新一代高性能产品，而原厂正面向AI新需求进行制程转换。DDR已发展至DDR5，三星、海力士等大厂计划将产能转向高性能产品，如HBM。DDR3、DDR4已成为低利润业务。

　　三星停产DDR4后，将资源集中在DDR5和HBM上。美光则在财报中提及HBM销售对毛利率的提升作用。包括长江存储、铠侠在内的多家存储厂商也在推广QLC产品，推进产品迭代。

　　面向AI时代，存储厂商调整产品结构的信号明显。HBM已成为高性能AI芯片的必备，QLC技术也被认为适合AI应用设备。存储原厂资本支出减少，更多投入先进封装技术或产品研发。

　　美光专注于增加HBM产能以满足市场需求，进行业务部门重组，成立云内存业务部。SK海力士也在加码布局HBM。

（文章来源：第一财经）