部分存储产品近期迎来了涨价潮。“近期，有的产品涨幅达100%，有的一个月内就涨了50%，本月的涨幅尤为显著。”深圳一家头部存储模组厂商的销售负责人张丽（化名）向第一财经记者透露，DRAM产品，尤其是DDR4和DDR3，近期出现了明显的涨价趋势，背后的主要驱动力并非需求增长，而是原厂停产。

DRAM，即动态随机存取存储器，是当前最主要的两种存储颗粒之一。DDR4和DDR3分别是其第四代和第三代产品。市场研究机构的数据也显示，近期DDR4的价格涨势尤为迅猛。

价格频频攀升

据闪存市场数据，截至5月27日的一周内，多款DDR4产品价格环比上涨，其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别上涨3.95%、15%、10%。TrendForce集邦咨询在近期发布的市场动态中，也多次提及DDR4颗粒现货价格上涨。

“深圳市场表现活跃，买家询价频繁，部分DDR4价格持续上涨，目标价格也随之提高，但仍难以跟上市场报价的节奏。”TrendForce集邦咨询在29日的市场动态报告中指出。

“上周（采购时）报价4元，你问3.8元行不行。这周再来询价，价格已涨至4.5元，你又问能否按上周的4元，但很抱歉，价格已涨至4.8元。这就是当前的涨价节奏。”张丽形容道。

涨价的背后，今年2月有消息称，美光、三星和SK海力士可能将在年底前停止生产DDR3和DDR4内存。4月，三星通知PC制造商，将在年底前停产DDR4，最后订购日期定为6月。

虽然三星未回应市场消息并证实DDR4停产，但市场已出现连锁反应。TrendForce集邦咨询指出，三星、美光DDR3、DDR4停产的传闻引发了DRAM市场的连锁反应，导致备货潮出现。原厂宣布EOL（终止生产）后，买方纷纷抢购补充库存，使得4月至5月的颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨。

闪存市场称，受原厂停产部分DDR4、减产LPDDR4X的持续影响，涨价效应已蔓延至渠道成品，导致渠道DDR5内存条价格也上调。

此外，NAND Flash（一种主要的闪存颗粒）也有部分产品在涨价。张丽表示，涨价最多的是容量32Gb及以下的MLC NAND Flash，这类产品主要用于智能家居、电视等领域，三星在市场中占有较大份额。据她了解，这也是因为原厂发布了停产通知，导致MLC NAND Flash市场供应减少，从而引发近期涨价。

近日有消息称，三星提前停产MLC NAND Flash，并通知只供应至6月，希望通过涨价使客户知难而退。市场对此表示担忧，并大力囤货。三星在回应中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真实，而是表示不对客户相关事宜发表评论。

原厂调整生产计划

虽然涨价是局部现象，且业内预计存储行情正在逐步改善，但市场还未因整体需求提升而出现迅猛的整体涨价。

以NAND Flash为例，TrendForce集邦咨询发布的报告称，今年第一季度NAND Flash供应商面临库存压力和终端客户需求下滑的双重挑战，平均销售价格下降了15%，出货量环比减少7%。预计第二季度NAND Flash价格将触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10%。

从存储市场整体规模来看，有存储供应链从业者表示，预计今年存储市场将比去年有所增长，但幅度预计仅为1%~2%。积极因素包括去库存后价格得到支撑、AI应用带来大容量存储需求等，但整体终端需求还未强劲反弹。

之所以部分存储颗粒涨价，是因为这些产品并非最新一代的高性能产品。原厂为了面向AI带来的新需求，正在进行制程转换。

“目前DDR已发展到DDR5，像三星、海力士等大厂，已将产能转向高性能产品，如HBM（高带宽内存，DRAM的一种）。DDR3、DDR4已不再是高利润、高毛利的业务。”张丽解释道。

TrendForce集邦咨询分析师许家源也表示，一些DDR4和LPDDR4将终止生产，主要是因为PC及服务器应用已逐步从DDR4转向DDR5，同时DDR4系列产品的价格和利润都较低。

三星停产DDR4后，将把生产资源集中在DDR5和HBM上。美光在财报中也提及了HBM销售对毛利率的提升作用。今年以来，多家存储厂商已在推广QLC产品，推进产品迭代。

面向AI时代，存储厂商正在调整产品结构。高性能存储产品中，HBM已成为高性能AI芯片的必备，QLC技术的NAND Flash也被认为适合运行AI应用的设备。

“原厂在产能资本支出上正在减少，同时存储技术正朝更先进制程迁移。”CFM闪存市场总经理邰炜表示，在供应端，整体wafer（晶圆）产出增量将明显减少，存储原厂的资本支出将更多投入先进封装技术或产品研发上。

美光在财报中表示，公司专注于在现有制造设备中增加HBM产能，以满足2026年的市场需求。SK海力士也在加码布局HBM。

（文章来源：第一财经）