纳微半导体与英伟达合作开发HVDC架构,碳化硅产业趋势显现
AI导读:
纳微半导体宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流架构,股价大涨。碳化硅产业正经历产能扩张与价格竞争,光大证券研报指出,HVDC产业趋势得到验证,未来在AI数据中心的优势将凸显。
当地时间5月21日,纳微半导体宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流(HVDC)架构,为GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。消息发布后,纳微半导体美股盘后涨超180%。
在数据中心电源领域,英伟达与维谛技术展开合作,计划于2026年下半年推出800 VDC电源产品系列,以支撑其整机柜计算平台。而纳微半导体则专注于高性能的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件开发,广泛应用于电动汽车、数据中心等多个领域。这些技术将大幅提升“Kyber”机架级系统的能效比和系统可靠性。
氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率和耐高温特性,能极大提升电源转换效率和系统稳定性;碳化硅则以其优异的耐压和导热性能,为高压直流架构提供坚实的技术支撑。
碳化硅产业正经历产能扩张与价格竞争,一方面,碳化硅晶圆龙头Wolfspeed因债务危机或面临破产;另一方面,中国厂商快速崛起,如天岳先进、天科合达等已与海外大厂达成合作。光大证券研报指出,维谛技术计划发布的800VDC电源产品系列进一步验证了HVDC产业趋势,未来在AI数据中心的优势将凸显。
AI电力需求呼唤革命性解决方案,HVDC产业趋势得到验证。随着AI模型规模扩大和算力需求激增,高性能GPU的电源管理成为关键。传统的数据中心架构面临物理极限,而HVDC技术通过减少铜材使用、降低电流和热损耗,实现更高效、集中化的电力输送。
光大证券认为,随着AI发展和算力需求增加,AI数据中心供配电系统需提升效率和节地等指标,将推动数据中心供电方案由UPS向HVDC发展,未来HVDC渗透率有望持续提升。国内相关公司包括中恒电气、禾望电气、盛弘股份等。
(文章来源:财联社)
郑重声明:以上内容与本站立场无关。本站发布此内容的目的在于传播更多信息,本站对其观点、判断保持中立,不保证该内容(包括但不限于文字、数据及图表)全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议,据此操作,风险自担。股市有风险,投资需谨慎。如对该内容存在异议,或发现违法及不良信息,请发送邮件至yxiu_cn@foxmail.com,我们将安排核实处理。

