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3月15日,宁夏超导泛科技牵头组织的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在银川举办。专家一致认为,该技术填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白,综合性能达国际领先水平,对提升半导体产业竞争力具有重要作用。

  3月15日,由中国电工技术学会主持、宁夏超导泛科技有限责任公司(以下简称“宁夏超导泛科技”)牵头组织的“高温超导磁控单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在宁夏银川市成功举办。此次鉴定会对推动国内高端硅晶体制造领域发展具有重要意义。

  据悉,宁夏超导泛科技成立于2024年底,由宁夏盈谷实业股份有限公司、江西联创超导技术有限公司等多家企业和自然人联合投资设立。自成立以来,公司一直致力于高温超导技术的研发与应用。

  鉴定会上,由中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面评估。专家一致认为,该技术填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白,综合性能达到国际领先水平,对提升我国半导体产业竞争力具有重要作用。

  高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术。科研团队针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈,成功研制出高温超导磁控硅单晶生长装备,实现了大尺寸(12英寸以上)高品质硅单晶的快速、高稳定性、低含氧量生产,经济和社会效益显著。

  根据项目报告显示,宁夏超导泛科技自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术,可将硅片含氧量稳定控制在5ppma(质量百万分比)以下,硅棒头尾利用率提升4%以上,生产效率提升12%,目前已成功拉出直径达340毫米的高品质硅棒,标志着我国在高端硅晶体制造领域取得了重大突破。

  甘子钊院士在评审中表示:“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长,为高温超导技术产业化做出了开创性的贡献,开辟了超导技术产业化新赛道。”他特别提到,该技术对实现“双碳”目标具有深远的战略意义。

  专家委员会认为,该项目成功解决了多项关键技术难题,取得多项创新性技术成果。科研团队研制的高温超导磁控硅单晶生长装备已在生产实践中得到应用,这充分表明该项目总体技术水平已达国际领先。

(文章来源:科技日报)