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中信建投研报指出,半导体产业先进制程推进下,芯片散热问题突出。金刚石散热材料因高热导率、优异机械性能等优势,成为高端散热理想选择,CVD制备技术成熟,未来市场空间广阔。

  中信建投研报称,随着半导体产业向更先进制程迈进,芯片尺寸缩小而功率激增,散热问题日益突出。芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降,因此催生了对高效散热方案的迫切需求。金刚石散热材料因其卓越性能成为理想选择,其热导率可达2000W/mK,是、银的4—5倍,也是、碳化硅等半导体材料的数倍至数十倍。此外,金刚石还兼具高带隙、极高电流承载能力、优异机械强度与抗辐射性,在高功率密度、高温高压等严苛场景中优势显著。其应用形式包括金刚石衬底、热沉片及带微通道的金刚石结构,可精准适配半导体器件、服务器GPU等核心散热需求。在制备工艺上,化学气相沉积法(CVD)已成为主流技术,可生产单晶、多晶、纳米金刚石,国内外企业已开发相关产品。伴随算力需求持续提升与第三代半导体快速发展,未来金刚石在高端散热市场的应用空间将愈发广阔。

(文章来源:人民财讯)