存储产业的分化态势正在加剧。近日，头部存储原厂SK海力士和美光相继发布财报显示，公司业绩再创新高，这背后是受益于AI快速发展背景下，全球对HBM（高带宽内存）的需求高涨；但另一方面，多个消费类终端市场仅仅恢复到正常库存水位，导致NAND（闪存）市场整体并没有足够支撑力。

HBM市场的快速演化，正在影响全球存储巨头的产业格局。有消息指出，除了传统数据中心之外，手机巨头也在考虑引入HBM存储产品。

但作为存储厂商拉动业绩的核心，HBM正面临发展变数。有分析指出，HBM市场可能在未来两年出现增速变数。

存储巨头的业绩显露出不同终端市场的当前消费情绪，HBM竞速正成为当下存储行业竞争的核心。SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，超越三星成为存储行业第一。

瑞银集团分析认为，HBM在DRAM整体市场的收入贡献占比将大幅增长。近期的财报中，HBM也是出现次数最多的关键词之一。SK海力士已经在今年3月开始向客户提供全球首批HBM4样品，美光科技第三财季营收创历史新高，得益于DRAM营收达到历史最高水平，其中HBM营收环比增长近50%。

Sanjay Mehrotra介绍，美光在HBM产能提升和产品开发路线图方面进展顺利。此外，美光已向多家客户交付HBM4样品，预计将于2026自然年按客户计划扩大量产规模。

除数据中心之外，更多终端类市场也开始盯上了HBM带来的成效。近日有市场消息称，有手机巨头正在考虑将HBM应用在手机上。一名存储行业资深从业者指出，预计AI在电动车领域对HBM也会有落地需求。

这都凸显出，对HBM的需求热潮仍将持续。只是从结构性角度看，HBM不同代际产品本身可能面临差异化表现。TrendForce集邦咨询分析师许家源指出，展望2026年, HBM3e价格预计低于2025年。

不过在HBM之外，整体存储市场并没有都表现得那么畅旺。典型如三星，目前其前沿HBM产品仍在走英伟达认证程序，因此公司整体业绩受到了更多因素干扰。

当然另一个支撑DRAM市场业绩高增的因素，可能在于上游存储厂商纷纷宣布停产DDR4产品，导致价格和需求都被快速抬高。美光方面对此也进行了分析，指出其先进DRAM制程节点，主要专注于新一代产品，并不用于生产DDR4和LPDDR4。

许家源则对记者分析道，预估三季度将是2025年内DDR4产品合约价上涨幅度最高的季度。整体从已经发布业绩的存储大厂来看，DRAM和NAND两大品类的产品表现出现明显分化。

美光财报显示，第三财季公司DRAM市场收入同比增长51%、环比增长15%；NAND市场收入同比增长4%、环比增长16%。SK海力士旗下NAND业务的bit出货量环比增长70%，DRAM业务bit出货量环比增长25%左右。

公司方面表示，对NAND业务将秉持谨慎的投资基调，还将扩大基于QLC的高容量eSSD销售。Sanjay Mehrotra也指出，美光对于NAND业务，公司将根据需求状况和盈利优先原则，保持审慎的投资态度。

这显示出，虽然当前终端类市场的库存水位整体处在健康水平，但产业链厂商对后市多持审慎态度。美光方面预计，2025自然年个人电脑市场销量将以个位数的低增长率增长；期内智能手机销量将实现低个位数增长。

预计美光在非HBM的DRAM市场和NAND领域，Bit（位元）供应增长将低于行业Bit（位元）需求增长。结合近期多家第三方厂商披露的上半年中国手机市场消费情况可见，目前消费正呈现增长放缓态势。

（文章来源：21世纪经济报道）