超薄磁体研发获突破 或改变未来电子设备构造
AI导读:
加拿大渥太华大学团队研发出全新材料组合,可增强超薄磁体磁性,使其在较高温度下稳定,为纳米尺度磁体设计提供新路径,或彻底改变未来电子设备构造。
加拿大渥太华大学领衔的一个国际研究团队在超薄磁体的研发上取得突破。他们展示了一种全新的材料组合,可增强仅有几层原子厚度的材料中的磁性,这使超薄磁体向现实应用迈出了关键一步。相关成果发表在最新一期《物理进展报告》期刊上。
传统磁体体积庞大,难以在尖端电子产品中实现小型化。而超薄磁体仅有几层原子厚度,是实现更小、更强大设备的理想材料。然而,这类磁体普遍存在一个致命缺陷,即它们通常只能在极低温度下工作,不适用于日常应用。
为了解决这一问题,研究团队将超薄磁体与拓扑绝缘体材料结合使用。当这两种材料叠加在一起时,磁强度显著提升,在较高温度下也可保持稳定。研究人员表示,这就像给磁体加了个“助推器”,通过与合适的材料配对,能在不破坏磁体的情况下增强其性能,这可能会彻底改变未来电子设备的构造方式。
这一研究为设计更强、更稳定的纳米尺度磁体提供了新路径。下一步,研究团队将尝试不同的材料组合,力争实现磁体在室温下运行这一关键目标,推动其在计算机、数据存储及量子计算等前沿技术中的广泛应用。
(文章来源:科技日报)
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