AI导读：

我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，标志着第三代半导体材料将引领航天电源系统升级换代，对未来航天技术发展具有重要战略意义。

　　以碳化硅（SiC）为核心的第三代半导体材料，正逐步成为推动我国制造业转型升级的重要驱动力与坚实保障。据来自中国科学院微电子研究所的最新消息，我国已在太空环境中成功验证了首款自主研发的碳化硅（SiC）功率器件，这一里程碑式的突破预示着第三代半导体材料将引领我国航天电源系统步入全新的升级换代阶段。据该所刘新宇研究员详尽阐述，功率器件作为电能变换与控制的核心组件，素有“电力电子系统的心脏”之美誉，其基础性与广泛应用性不言而喻。

　　随着传统硅基功率器件的性能逐渐逼近物理极限，碳化硅（SiC）等第三代半导体材料凭借其卓越的性能优势，正逐步满足空间电源系统对于高能效、小型化及轻量化的迫切需求，对推动新一代航天技术的蓬勃发展具有深远的战略意义。这一突破不仅彰显了我国在半导体材料领域的自主创新能力，更为后续探月工程、载人登月及深空探测等航天任务提供了强有力的技术支撑。

　　业内资深专家普遍认为，我国在太空环境中成功验证由第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在严苛的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件将成为推动空间电源系统升级换代的重要力量，为我国航天事业的未来发展注入全新活力。

（文章来源：新华社，图片及链接信息保持不变）